RTP真空快速退火炉

RTP快速退火炉（又称"扩散炉"）是利用卤素红外灯做为热源，通过较快的升温速率，将晶圆或者材料快速的加热到300℃-1200℃，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。快速退火炉采用先进的微电脑控制系统，采用PID闭环控制温度，可以达到较高的控温精度和温度均匀性，并且可配置真空腔体，也可根据用户工艺需求配置多路气体。

RTP真空快速退火应用:

⒈.化合物半导体：•LED芯片•光通讯芯片 •射频芯片•功率半导体芯片2.应用较广的工艺：•离子注入后快速退火 •ITO镀膜后快速退火 3.其他应用领域：•氧化物、氮化物生长  •硅化物合金退火  •砷化镓工艺  •欧姆接触快速合金  •氧化回流   •其他快速热处理工艺

半自动12寸真空快速退火炉

     是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，以红外可见光加热单片 Wafer或样品，工艺时间短，控温精度高，适用4-12英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP系统，其*特的腔体设计、先进的温度控制技术和*有的RL900软件控制系统，确保了较好的热均匀性。

①半自动12寸真空快速退火炉的特点：▶可测单晶片样品的较大尺寸为12英寸（300×300mm）

②半自动12寸真空快速退火炉的技术规格: ➜较大产品尺寸：4-12英寸晶圆或者较大支300×300mm产品兼容12寸及以下晶圆

桌面式6寸真空快速退火炉

     是在保护气氛下的桌面手动快速退火系统，以红外可见光加热单片 Wafer或样品，工艺时间短，控温精度高，适用2-6英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系 统和其他RTP系统，其*特的腔体设计、先进的温度控制技术和*有的RL900软件控制系统，确保了较好的热均匀性。

①桌面式6寸真空快速退火炉：▶可测单晶片样品的较大尺寸为6英寸（150mm）

②桌面式6寸真空快速退火炉的技术规格：➜较大产品尺寸：6寸晶圆或者较大支持150×150mm产品

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